中国振华集团永光电子有限公司
企业简介
  公司简介 中国振华集团永光电子有限公司始建于1966年,位于贵州省贵阳市高新技术开发区,属于二级企业,贵州省首批重点高新技术企业,我国重要的半导体研制生产骨干企业和军工产品定点企业。是集研制、生产和销售为一体的半导体器件专业企业,从事半导体研制开发已40余年,现有在岗职工1000多人,公司注册资本2.85亿元,总资产近3亿元。公司总经理?法人代表:席建军。 公司具有独立设计、研制、开发、生产能力,并具有各种半导体器件测试和可靠性试验及分析的能力,主要产品有:硅整流、开关、瞬态、稳压二极管系列,功率开关晶体管,达林顿晶体管,功率晶体管模块系列,塑封和陶瓷表面贴装二极管,汽车用雪崩、整流二极管及组件系列等,更具有一些低噪声、低温度系数、抗辐射等高可靠二、三极管,年生产能力达15亿只以上,所研制的产品有些填补了国内空白。公司承担着多项重点工程半导体器件研制和生产配套任务,多次受有关部门嘉奖。 公司拥有完善的质量管理体系,在1998年通过了ISO9002-94军品和民品两个质保体系认证,2003年6月再次通过了ISO9000-2000和GJB9001-2001质量保证体系认证。目前公司拥有四条贯彻国军标生产线,有300个型号的产品上QPL表。 公司注册的“中光”牌半导体器件广泛用于航天、航空、兵器、船舶、电子等国防重点工程和汽车发动机、通讯、计算机、家用电器、电动玩具等民用领域,并以其性能优良、质量可靠、使用方便、服务周全在业界享有良好声誉。 我们秉承“科学规范、诚信建业”的经营管理理念,以关注用户满意度为焦点,以高新的技术、可靠的产品、优质的服务竭诚欢迎您选用“中光”牌半导体器件。
中国振华集团永光电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 4946715 中光 2005-10-17 半导体器件 查看详情
中国振华集团永光电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN104078370B 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 2017.04.19 本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置,使上
2 CN103866301B 一种镀镍废液的二次利用方法 2017.02.22 本发明公开了一种镀镍废液的二次利用方法。该方法是在使用过的酸性镀镍废液加入20‑30%的酸性废液恢复
3 CN104368888B 电解去毛刺机的电极装置 2017.02.15 本发明公开了一种电解去毛刺机的电极装置,旨在提供一种电极片与转盘接触良好的电解去毛刺机的电极装置。它
4 CN104347565B 瞬态电压抑制二极管封装结构 2017.02.15 本发明涉及半导体结构,具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设
5 CN103874338B LED数码管点阵构件的前处理方法 2017.02.08 本发明公开了一种LED数码管点阵构件的前处理方法。该方法是在PCB板未进行跳PIN和压PIN处理之前
6 CN103469220B 去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法 2016.04.27 本发明涉及一种去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法,属于合金引线框架加工技术领域。该组合物由去
7 CN102088016A 一种半导体稳压整流混合器件 2011.06.08 本发明公开了一种半导体稳压整流混合器件,本发明将稳压二极管管芯的负极与整流二极管管芯的正极紧密贴合为
8 CN102087984A 一种微型二极管钼电极引线结构及焊接方法 2011.06.08 本发明公开了一种微型二极管钼电极引线结构及焊接方法,本发明采用镍或铁镍合金材料作为微型二极管的引线,
9 CN103472380B 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 2015.10.28 本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置;其包括电路板
10 CN102699466B 半导体电极组件的钎焊方法 2015.08.19 本发明公开了一种半导体电极组件的钎焊方法,其包括提供包括上、下模具的石墨烧结模具,该上模具内预留有引
11 CN102540044B 一种三相整流桥的老化方法及装置 2015.07.01 本发明公开了一种三相整流桥的老化方法及装置。其方法利用老化装置对整流桥进行批量老化;将待试验的整流桥
12 CN102569106B 实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法 2015.04.15 本发明公开了一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法。其方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属
13 CN102569419B 一种玻璃钝化封装合金型硅电压调整二极管 2015.04.01 本发明公开了一种玻璃钝化封装合金型硅电压调整二极管,包括管芯(1),管芯(1)的一面经蒸铝层(2)和
14 CN104459502A 电流调整二极管的电参数测试装置和测试方法 2015.03.25 本发明涉及电流调整二极管测试技术领域,具体涉及一种电流调整二极管的电参数测试装置和测试方法;采用的技
15 CN102543720B 一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法 2015.03.04 本发明公开了一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法,该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区,在两个N区
16 CN102560579B 一种硅铝合金电镀镍的方法 2015.02.25 本发明公开了一种硅铝合金电镀镍的方法,将硅铝合金零件经碱洗、酸洗后置于氢氟酸水溶液中活化,活化后置于
17 CN104368888A 电解去毛刺机的电极装置 2015.02.25 本发明公开了一种电解去毛刺机的电极装置,旨在提供一种电极片与转盘接触良好的电解去毛刺机的电极装置。它
18 CN102528199B 一种电子元器件密封封装的焊接方法 2015.02.25 本发明公开了一种电子元器件密封封装的焊接方法,按封装盖板与底座接触部分的形状制备出焊料片,将封装盖板
19 CN104347565A 瞬态电压抑制二极管封装结构 2015.02.11 本发明涉及半导体结构,具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设
20 CN104347556A 二极管封装结构 2015.02.11 本发明涉及半导体结构,具体是一种二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端
21 CN104282602A 硅片放置架 2015.01.14 本发明公开了一种硅片放置架,旨在提供一种硅片清洗、镀镍、光刻等各工序专用的放置架。它包括两块竖直设置
22 CN104278275A 一种硅片的湿法刻蚀方法 2015.01.14 本发明公开了一种硅片的湿法刻蚀方法,旨在提供了一种操作简单、可有效防止硅片的背面产生多余刻蚀区的硅片
23 CN203992119U 一种设有安全光幕装置的卸料机 2014.12.10 本实用新型公开了一种设有安全光幕装置的卸料机,包括机架、卸料口和操作平台,卸料口安装在操作平台内,操
24 CN203954702U 一种蒸发设备结构 2014.11.26 本实用新型公开了一种蒸发设备结构,包括蒸发设备的筒体(4),在筒体(4)的下方设有加热器(7),筒体
25 CN102709276B 低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法 2014.11.12 本发明公开了一种低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法,该低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管包
26 CN102709333B 低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法 2014.11.12 本发明公开了一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法,该低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制
27 CN102699601B 二极管多管芯组装自对准模具及其使用方法 2014.11.12 本发明公开了一种二极管多管芯组装自对准模具及其使用方法,该自对准模具包括一下模具及重叠设置于下模具上
28 CN104078370A 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 2014.10.01 本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置,使上
29 CN104056458A 一种蒸发设备冷却水系统失效的改造方法及结构 2014.09.24 本发明公开了一种蒸发设备冷却水系统失效的改造方法及结构。该方法是在蒸发设备内加装一套冷阱,以便更快速
30 CN104061468A 一种LED指示灯制作方法及结构 2014.09.24 本发明公开了一种新型LED指示灯制作方法及结构。其方法是将LED灯珠头上的球头磨平,然后将已磨切好的
31 CN104064447A 一种防止二极管管芯台面被污染的方法 2014.09.24 本发明公开了一种防止二极管管芯台面被污染的方法,该方法是在硅片“打点”形成管芯台面后,将适量固态石蜡
32 CN203823523U 一种LED指示灯结构 2014.09.10 本实用新型公开了一种LED指示灯结构,该LED指示灯结构包括反射腔(1),反射腔(1)内设有LED灯
33 CN203800024U 一种高频小功率晶体管的封装装置 2014.08.27 本实用新型公开了一种高频小功率晶体管的封装装置,包括下电极(1)和上电极(2),下电极(1)底部为圆
34 CN203779136U 一种加工三相整流桥外壳零件的专用夹具 2014.08.20 本实用新型公开了一种加工三相整流桥外壳零件的专用夹具,该加工三相整流桥外壳零件的专用夹具由夹具体一和
35 CN103868938A LED模块的灌装质量检测方法及装置 2014.06.18 本发明公开了一种LED模块的灌装质量检测方法及装置,该方法将灌装后的批量LED模块口朝上平放在透明玻
36 CN102540043B 轴向半导体器热阻测试方法及接口 2014.06.18 本发明公开了一种轴向半导体器热阻测试方法及接口,采用开尔文测试夹具将待测器件的引线夹紧,夹紧位置为待
37 CN103866301A 一种镀镍废液的二次利用方法 2014.06.18 本发明公开了一种镀镍废液的二次利用方法。该方法是在使用过的酸性镀镍废液加入20-30%的酸性废液恢复
38 CN103874338A LED数码管点阵构件的前处理方法 2014.06.18 本发明公开了一种LED数码管点阵构件的前处理方法。该方法是在PCB板未进行跳PIN和压PIN处理之前
39 CN103871875A 低温度系数硅电压基准二极管的制作方法及结构 2014.06.18 本发明公开了一种低温度系数硅电压基准二极管的制作方法及结构,该方法通过硅正向PN结具有的负温度系数与
40 CN102544077B 提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法及结构 2014.06.18 本发明公开了一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法,本发明在现有的芯片(1)的基极(b)与发射极(e
41 CN103861842A LED模块灌封前的吹尘方法及装置 2014.06.18 本发明公开了一种LED模块灌封前的吹尘方法及装置。该方法是将待除尘的产品置于除尘装置的不锈钢网盘上,
42 CN103871874A 大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构 2014.06.18 本发明公开了一种大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构,該方法通过一组芯片串联叠加形成芯片组,以
43 CN103469220A 去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法 2013.12.25 本发明涉及一种去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法,属于合金引线框架加工技术领域。该组合物由去
44 CN103472380A 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 2013.12.25 本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置;其包括电路板
45 CN102088016B 一种半导体稳压整流混合器件 2013.09.25 本发明公开了一种半导体稳压整流混合器件,本发明将稳压二极管管芯的负极与整流二极管管芯的正极紧密贴合为
46 CN203108869U LED模块产品吹尘设备 2013.08.07 本实用新型公开了一种LED模块产品吹尘设备,包括离子风枪(1)和吹尘设备,吹尘设备包括机架(2),在
47 CN202998689U 一种LED数码管引脚安装模具 2013.06.12 本实用新型公开了一种LED数码管引脚安装模具。包括夹具体(1)和位于夹具体(1)上方的盖板(2);夹
48 CN202977395U 一种ESEC2007SSI粘片机用的芯片扩膜夹具 2013.06.05 本实用新型公开了一种ESEC2007SSI粘片机用的芯片扩膜夹具,包括夹具体(1);夹具体(1)的形
49 CN102082092B 玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺 2013.03.20 本发明公开了一种玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺,将硝酸、氢氟酸、硫酸以及冰乙酸混合均匀得到腐蚀液,待腐
50 CN202758866U 半导体金属封接器件玻璃密封结构 2013.02.27 本实用新型涉及半导体器件领域,具体公开了一种半导体金属封接器件玻璃密封结构,其包括外壳、设于外壳内的
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