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中国振华集团永光电子有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 4946715 | ![]() |
中光 | 2005-10-17 | 半导体器件 | 查看详情 |
中国振华集团永光电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN104078370B | 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置,使上 |
2 | CN103866301B | 一种镀镍废液的二次利用方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种镀镍废液的二次利用方法。该方法是在使用过的酸性镀镍废液加入20‑30%的酸性废液恢复 |
3 | CN104368888B | 电解去毛刺机的电极装置 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种电解去毛刺机的电极装置,旨在提供一种电极片与转盘接触良好的电解去毛刺机的电极装置。它 |
4 | CN104347565B | 瞬态电压抑制二极管封装结构 | 2017.02.15 | 本发明涉及半导体结构,具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设 |
5 | CN103874338B | LED数码管点阵构件的前处理方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种LED数码管点阵构件的前处理方法。该方法是在PCB板未进行跳PIN和压PIN处理之前 |
6 | CN103469220B | 去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法 | 2016.04.27 | 本发明涉及一种去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法,属于合金引线框架加工技术领域。该组合物由去 |
7 | CN102088016A | 一种半导体稳压整流混合器件 | 2011.06.08 | 本发明公开了一种半导体稳压整流混合器件,本发明将稳压二极管管芯的负极与整流二极管管芯的正极紧密贴合为 |
8 | CN102087984A | 一种微型二极管钼电极引线结构及焊接方法 | 2011.06.08 | 本发明公开了一种微型二极管钼电极引线结构及焊接方法,本发明采用镍或铁镍合金材料作为微型二极管的引线, |
9 | CN103472380B | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 | 2015.10.28 | 本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置;其包括电路板 |
10 | CN102699466B | 半导体电极组件的钎焊方法 | 2015.08.19 | 本发明公开了一种半导体电极组件的钎焊方法,其包括提供包括上、下模具的石墨烧结模具,该上模具内预留有引 |
11 | CN102540044B | 一种三相整流桥的老化方法及装置 | 2015.07.01 | 本发明公开了一种三相整流桥的老化方法及装置。其方法利用老化装置对整流桥进行批量老化;将待试验的整流桥 |
12 | CN102569106B | 实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法 | 2015.04.15 | 本发明公开了一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法。其方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属 |
13 | CN102569419B | 一种玻璃钝化封装合金型硅电压调整二极管 | 2015.04.01 | 本发明公开了一种玻璃钝化封装合金型硅电压调整二极管,包括管芯(1),管芯(1)的一面经蒸铝层(2)和 |
14 | CN104459502A | 电流调整二极管的电参数测试装置和测试方法 | 2015.03.25 | 本发明涉及电流调整二极管测试技术领域,具体涉及一种电流调整二极管的电参数测试装置和测试方法;采用的技 |
15 | CN102543720B | 一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法 | 2015.03.04 | 本发明公开了一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法,该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区,在两个N区 |
16 | CN102560579B | 一种硅铝合金电镀镍的方法 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种硅铝合金电镀镍的方法,将硅铝合金零件经碱洗、酸洗后置于氢氟酸水溶液中活化,活化后置于 |
17 | CN104368888A | 电解去毛刺机的电极装置 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种电解去毛刺机的电极装置,旨在提供一种电极片与转盘接触良好的电解去毛刺机的电极装置。它 |
18 | CN102528199B | 一种电子元器件密封封装的焊接方法 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种电子元器件密封封装的焊接方法,按封装盖板与底座接触部分的形状制备出焊料片,将封装盖板 |
19 | CN104347565A | 瞬态电压抑制二极管封装结构 | 2015.02.11 | 本发明涉及半导体结构,具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设 |
20 | CN104347556A | 二极管封装结构 | 2015.02.11 | 本发明涉及半导体结构,具体是一种二极管封装结构;其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端 |
21 | CN104282602A | 硅片放置架 | 2015.01.14 | 本发明公开了一种硅片放置架,旨在提供一种硅片清洗、镀镍、光刻等各工序专用的放置架。它包括两块竖直设置 |
22 | CN104278275A | 一种硅片的湿法刻蚀方法 | 2015.01.14 | 本发明公开了一种硅片的湿法刻蚀方法,旨在提供了一种操作简单、可有效防止硅片的背面产生多余刻蚀区的硅片 |
23 | CN203992119U | 一种设有安全光幕装置的卸料机 | 2014.12.10 | 本实用新型公开了一种设有安全光幕装置的卸料机,包括机架、卸料口和操作平台,卸料口安装在操作平台内,操 |
24 | CN203954702U | 一种蒸发设备结构 | 2014.11.26 | 本实用新型公开了一种蒸发设备结构,包括蒸发设备的筒体(4),在筒体(4)的下方设有加热器(7),筒体 |
25 | CN102709276B | 低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法 | 2014.11.12 | 本发明公开了一种低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法,该低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管包 |
26 | CN102709333B | 低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法 | 2014.11.12 | 本发明公开了一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法,该低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制 |
27 | CN102699601B | 二极管多管芯组装自对准模具及其使用方法 | 2014.11.12 | 本发明公开了一种二极管多管芯组装自对准模具及其使用方法,该自对准模具包括一下模具及重叠设置于下模具上 |
28 | CN104078370A | 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 | 2014.10.01 | 本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置,使上 |
29 | CN104056458A | 一种蒸发设备冷却水系统失效的改造方法及结构 | 2014.09.24 | 本发明公开了一种蒸发设备冷却水系统失效的改造方法及结构。该方法是在蒸发设备内加装一套冷阱,以便更快速 |
30 | CN104061468A | 一种LED指示灯制作方法及结构 | 2014.09.24 | 本发明公开了一种新型LED指示灯制作方法及结构。其方法是将LED灯珠头上的球头磨平,然后将已磨切好的 |
31 | CN104064447A | 一种防止二极管管芯台面被污染的方法 | 2014.09.24 | 本发明公开了一种防止二极管管芯台面被污染的方法,该方法是在硅片“打点”形成管芯台面后,将适量固态石蜡 |
32 | CN203823523U | 一种LED指示灯结构 | 2014.09.10 | 本实用新型公开了一种LED指示灯结构,该LED指示灯结构包括反射腔(1),反射腔(1)内设有LED灯 |
33 | CN203800024U | 一种高频小功率晶体管的封装装置 | 2014.08.27 | 本实用新型公开了一种高频小功率晶体管的封装装置,包括下电极(1)和上电极(2),下电极(1)底部为圆 |
34 | CN203779136U | 一种加工三相整流桥外壳零件的专用夹具 | 2014.08.20 | 本实用新型公开了一种加工三相整流桥外壳零件的专用夹具,该加工三相整流桥外壳零件的专用夹具由夹具体一和 |
35 | CN103868938A | LED模块的灌装质量检测方法及装置 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种LED模块的灌装质量检测方法及装置,该方法将灌装后的批量LED模块口朝上平放在透明玻 |
36 | CN102540043B | 轴向半导体器热阻测试方法及接口 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种轴向半导体器热阻测试方法及接口,采用开尔文测试夹具将待测器件的引线夹紧,夹紧位置为待 |
37 | CN103866301A | 一种镀镍废液的二次利用方法 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种镀镍废液的二次利用方法。该方法是在使用过的酸性镀镍废液加入20-30%的酸性废液恢复 |
38 | CN103874338A | LED数码管点阵构件的前处理方法 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种LED数码管点阵构件的前处理方法。该方法是在PCB板未进行跳PIN和压PIN处理之前 |
39 | CN103871875A | 低温度系数硅电压基准二极管的制作方法及结构 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种低温度系数硅电压基准二极管的制作方法及结构,该方法通过硅正向PN结具有的负温度系数与 |
40 | CN102544077B | 提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法及结构 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法,本发明在现有的芯片(1)的基极(b)与发射极(e |
41 | CN103861842A | LED模块灌封前的吹尘方法及装置 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种LED模块灌封前的吹尘方法及装置。该方法是将待除尘的产品置于除尘装置的不锈钢网盘上, |
42 | CN103871874A | 大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构,該方法通过一组芯片串联叠加形成芯片组,以 |
43 | CN103469220A | 去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法 | 2013.12.25 | 本发明涉及一种去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法,属于合金引线框架加工技术领域。该组合物由去 |
44 | CN103472380A | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 | 2013.12.25 | 本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置;其包括电路板 |
45 | CN102088016B | 一种半导体稳压整流混合器件 | 2013.09.25 | 本发明公开了一种半导体稳压整流混合器件,本发明将稳压二极管管芯的负极与整流二极管管芯的正极紧密贴合为 |
46 | CN203108869U | LED模块产品吹尘设备 | 2013.08.07 | 本实用新型公开了一种LED模块产品吹尘设备,包括离子风枪(1)和吹尘设备,吹尘设备包括机架(2),在 |
47 | CN202998689U | 一种LED数码管引脚安装模具 | 2013.06.12 | 本实用新型公开了一种LED数码管引脚安装模具。包括夹具体(1)和位于夹具体(1)上方的盖板(2);夹 |
48 | CN202977395U | 一种ESEC2007SSI粘片机用的芯片扩膜夹具 | 2013.06.05 | 本实用新型公开了一种ESEC2007SSI粘片机用的芯片扩膜夹具,包括夹具体(1);夹具体(1)的形 |
49 | CN102082092B | 玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺 | 2013.03.20 | 本发明公开了一种玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺,将硝酸、氢氟酸、硫酸以及冰乙酸混合均匀得到腐蚀液,待腐 |
50 | CN202758866U | 半导体金属封接器件玻璃密封结构 | 2013.02.27 | 本实用新型涉及半导体器件领域,具体公开了一种半导体金属封接器件玻璃密封结构,其包括外壳、设于外壳内的 |
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